带宽：500MHz 共模电压： 85kVpk 直流增益精度：1% 共模抑制比：高达180dB
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在100MHz时CMRR高达128dB、在500MHz时CMRR仍然高达114dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于1.46mVrms，预热后零点漂移小于500μV。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。
测试氮化镓（GaN）不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容低至2.6pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。
| 型号 | OIP100B | OIP200B | OIP500B |
|---|---|---|---|
| 带宽 | 100MHz | 200MHz | 500MHz |
| 上升时间 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤700ps |
| 共模抑制比 | DC: 180dB 100MHz: 128dB |
DC: 180dB 200MHz: 122dB |
DC: 180dB 500MHz: 114dB |
| 差模电压 | ±5000V | ||
| 底噪 | <1.46mVrms | ||
| 直流增益精度 | 1% | ||
| 共模电压 | 85kVpk | ||
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